Manganeso de cerámica piezoeléctrico del material de PZT
Cuando cristal de placa piezoeléctricoestá dopando la concentración de manganeso piezoeléctrico del material de cerámica es inferior, manganeso entra en principalmente el cedazo cristalino, sensor piezoeléctrico de la presión del transductortuerce el cedazo cristalino y promueve la sinterización del material de cerámica piezoeléctrico que eso lleva al crecimiento de grano. Sin embargo, cuando el contenido del manganeso alcanza cierto valor, manganeso de ficha técnica piezoeléctrica de la placaacumula en los límites de grano, fijando los límites de grano, obstaculizando el crecimiento de los granos y reduciendo la talla de grano de las muestras. Puede también ser visto de la imagen de electrón secundario seccionada transversalmente de la muestra que como el manganeso que dopa cantidad aumenta, la fuerza de la medida piezoeléctrica de la dislocación del transductor disminuye porque la mayor parte de los granos están quebrados cuando está rompiendo el espécimen, que se puede relacionar con el volumen de efecto de la fuerza, pero el factor más importante puede ser doping del manganeso. Las características dieléctricas del transformador ultrasónico del disco piezoeléctrico son X y las curvas tan de W para diverso manganeso están dopando niveles en la temperatura ambiente. Puede ser visto de la figura que la incorporación de las disminuciones del manganeso el X y el W tan disminuye mientras que la cantidad de incorporación aumenta. Cuando la cantidad de manganeso es el doping≤0.4%, que está perteneciendo a los añadidos “duros”, el manganeso entra en el cedazo, las muestras mostradas el validador que dopa características, de modo que la constante dieléctrica de la muestra disminuyera; cuando el manganeso que dopa el r> 0.4%, cristal piezoeléctrico de alta frecuenciaentra en el límite de grano, las disminuciones de la talla de grano y la distribución del grano es también muy desiguales, ésta también reducirá X y broncea granos más grandes del W. reduce la tensión en los límites de grano durante la polarización y disminuye la pérdida dieléctrica, que es una de las razones por las que W tan disminuye con el aumento del doping del manganeso. La temperatura de curie en este experimento es medida midiendo la constante dieléctrica relativa X y curva de la temperatura T para medir el TC, la cerámica piezoeléctrica cuaternario Tc y el d33 y el manganeso que dopan la curva. La ley de los TC del cambio es exactamente el contrario.
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