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Voltaje piezoeléctrico generado por sensor piezoeléctrico.

Vistas:0     Autor:Editor del sitio     Hora de publicación: 2018-03-29      Origen:Sitio

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Adición de La3 +, Nb5 +, Bi3 + y otros aditivos para el material PZT, que puede formar vacantes Pb2 + o vacantes de oxígeno. Dado que la presencia deElementos de disco piezoeléctricocambia el movimiento del crisol eléctrico, que muestra los cambios en la constante dieléctrica, coeficiente de elasticidad de cumplimiento, pérdida dieléctrica y la pérdida mecánica. El estudio de Nb2O5 disco piezo eléctrico se dopa con PZT65 / 35 preparado por los sólidos shows método de fase que la adición de niobio promueve significativamente la densificación de la sinterización y el crecimiento suprime grano. El experimento de Li2O dopaje en 0,2, espectáculos de cilindro piezo cerámicos que las buenas propiedades piezoeléctricas se han sintetizado a una baja temperatura de 950 C.


En cuanto a la dopaje de La3 +, que se dopa con La3 + en la muestra de PZT sinterizado, y el tamaño de grano promedio y microdureza del transductor piezo cilindro se representaron frente a la cantidad de dopaje, como se muestra en la Figura 2. El rendimiento cambios inducidos por Fe3 + dopado PMN-PZN fueron estudiados. Se encontró que el efecto de diferentes métodos de dopaje en el rendimiento es básicamente el mismo, pero cada uno tiene sus propias ventajas y desventajas. El rendimiento de PMN-PZN a la temperatura de sinterización de 1 210 ° C es mejor, y cuando aumenta el contenido, el tamaño de grano deSensor de placa piezoeléctricaaumenta gradualmente; la temperatura de sinterización óptima de la muestra debería aumentar, la constante dieléctrica disminuye, la pérdida disminuye, el factor de calidad aumenta mecánicas, y el piezoeléctrico y propiedades electromecánicas disminuir.


Sin embargo, la temperatura de sinterización disminuye durante el experimento. Esto demuestra que Fe2O3 tiene la misión de asistir a la quema. Los estudios han demostrado que el dopaje de Fe3 + reduce la pérdida y la conductancia pérdida estructural del sistema de PMNs-PZN-PZT cerámico yesfera cerámica piezomejora la pérdida dieléctrica. La influencia de CeO2 dopaje en PZT se estudió y se encontró que los granos de cristal se hicieron más pequeños después de añadir CeO2.When la cantidad de dopaje es 0,4%, el tamaño de grano de cristal es relativamente uniforme, y cuando la cantidad de dopaje se aumenta a 0,8%, los granos de cristal no son uniformes, y aparecen pequeños granos de cristal que todavía no han crecido. Esto demuestra que la energía adecuada dopaje es beneficioso para el crecimiento uniforme de los granos de cristal, y el exceso hará que los iones a acumularse en los límites de grano para evitar que el crecimiento del grano.


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