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Investigación de la tecnología piezoeléctrica del funcionamiento del material de cerámica de PZT (二)

Vistas:0     Autor:Editor del sitio     Hora de publicación: 2018-01-02      Origen:Sitio

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Investigación de la tecnología piezoeléctrica del funcionamiento del material de cerámica de PZT (二)

                      Investigación de la tecnología piezoeléctrica del funcionamiento del material de cerámica de PZT (二)


Efecto del campo eléctrico polarizado en características piezoeléctricas durante el proceso de la polarización, esfera de cerámica piezoeléctrica es la fuerza el impulsor externa para que el dominio eléctrico dé vuelta. Bajo condición de no exceder la fuerza de campo saturada del material, el más grande anillos piezoeléctricos es promover la alineación de los dominios, el mayor grado de polarización, es cuanto más completo, las características piezoeléctricas es mejor. ficha técnica piezoeléctrica del transductor cuáles son difíciles de desviar o de reorientar en la presión inferior, el transductor piezoeléctrico material del pzt es una desviación o una reorientación más propensa bajo alta presión, dando por resultado una polarización más completa. Para un dominio de la inversión de 180 grados, la inversión del sensor del transductor para dental ultrasónico no resulta del movimiento lateral de su pared de dominio para desviar los dominios opuestos, sino produce algo muchas polarizaciones dentro del dominio de la inversión cerca del electrodo a lo largo del borde de la muestra, la dirección y la dirección del campo eléctrico del precio piezoeléctrico acuncado del resonador es el nuevo dominio, la nueva nucleación del dominio después del campo eléctrico a moverse adelante, penetrando la muestra entera. Mientras que el campo eléctrico aumenta, los nuevos dominios continúan emergiendo y continuando propagando a través del dominio reverso. Eventual, el dominio reverso llega a ser constante con la dirección del campo eléctrico externo y combina con el adyacente motor ultrasónico piezoeléctrico electrónico para formar un volumen más grande similar al dominio. Para un 90°domain, las paredes de dominio pueden moverse de lado, y el campo eléctrico crítico es necesario para el movimiento lateral del 90°domain es más pequeño que el campo eléctrico crítico requerido para el nuevo dominio acuncado. Sin embargo, porque un 90°domain que se dirigirá a la dirección del estado coherente externo del campo eléctrico requerirá un campo eléctrico más grande, el desarrollo de su nuevo dominio es conducido principalmente por el movimiento externo del campo eléctrico 90°lateral de la pared de dominio.


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