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Improving properties of piezo ceramics

Vistas:0     Autor:Editor del sitio     Hora de publicación: 2018-01-19      Origen:Sitio

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 Improving properties of piezo ceramics

                              Improving properties of piezo ceramics


During the production and research, it often uses some oxides and compounds as trace additives to improve the performance of piezoelectric ceramics. These trace additions replace the positions of some titanium ions and zirconium ions respectively in PZT, which makes the piezo ceramic discs in the grains, which is easy to move that is resulting in a marked decrease of the coercive electric field and reduction of the three polarization conditions. Ultrasound piezoelectric sensor is easily polarized. After long - term repeated experiments to determine 6. 5 MHz piezoelectric ceramic filter to the modified PZT material, which is composed of Pb0. 90Sr0. 05Mg0 03 Ba0 02 (Zr0. 53Ti0 47) O3+, CeO2+MnO2. piezoelectric ceramic material is after pre - burning, molding, firing, grinding process, 24 mm×0. 35 mm of the round piezo ceramics is on both sides of the silver, piezo vibration sensor is placed in an oven at 100℃Bake 10 min or more, to the silver layer blue hair removed tiles. Then cerami piezoeléctrico eléctricoc ser buena porcelana de plata colocada en un horno de rectángulo a la calefacción uniforme de la velocidad de calentamiento de 15 ℃/6 minutos al ℃ 100, la temperatura constante es 0.5 h, que continúa al uniforme de la velocidad de calentamiento de 15 ℃/6 minutos es calefacción al ℃ 400, y entonces el uniforme de la velocidad de calentamiento de 20 ℃/6 minutos que es calefacción al ℃ 700, temperatura constante es el minuto 20, cristal del bloque piezoeléctrico se refresca lentamente al ℃ below 100 cocido al horno, temperatura constante es 0.5 h, que continúa a la calefacción uniforme de la velocidad de calentamiento de 15 ℃/6 minutos al ℃ 400, después la calefacción uniforme de la velocidad de calentamiento de 20 ℃/6 minutos al ℃ 700, temperatura constante es el minuto 20, refrescado lentamente al ℃ below 100 cocido al horno. Buena porcelana de plata colocada colocada en la temperatura ambiente para 12 h en el tanque del silicón, polarizada bajo diversas condiciones de la polarización, después de 24 h para medir las características piezoeléctricas. La influencia de la temperatura de la polarización en características piezoeléctricas bajo condiciones de E = 2.0 kilovoltios/milímetro y t = el minuto 15, la polarización de de cerámica piezoeléctrico fue cambiada por T, y la variación de d33 con E fue estudiada. Con el aumento de T, d33 comienza a aumentar rápido. Cuando la temperatura de la polarización alcanza el ℃ 130, el valor de la recolección piezoeléctrica esférica d33 sigue siendo básicamente sin cambios. Esto es porque en temperaturas más bajas, como los aumentos de la temperatura, la relación de transformación axial cristalográfica c/a llega a ser más pequeña, y la actividad de los dominios aumenta. Consecuentemente, la tensión interna debido a la inversión del campo eléctrico en 90°decreases, que el manejo eléctrico del dominio es afectado. La resistencia llega a ser más pequeña, los dominios son fáciles de alinear, así que la polarización es más fácil. Cuando T alcanza el ℃ 130, la mayor parte de el manejo piezoeléctrico del dominio se termina, dando vuelta a la saturación, así que al valor no más de los cambios d33.  


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